纳米内存 - 简介

纳米内存，是台湾“国研院”开发的一种全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞。这个新内存在几乎不需耗电的情况下，容量比现在的闪存增大20倍，1平方厘米面积内可储存1个图书馆的文字数据。

纳米内存 - 开发背景

负责“9纳米超节能内存”开发的何家骅博士举起示范模型

随着可携式3C产品对体积越来越小以及容量越来越大的需求日益增加，如何能研发出体积更小、记忆量更大的内存，是全球研究人员努力的目标。

2010年12月，台湾“国研院”纳米(台称“奈米”)组件实验室领先全球，开发出全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞。

这项重要开发成果已于2010年12月8日在美国旧金山举行的国际电子组件会议正式发表，引起国际微电子产学研界高度重视。

纳米内存 - 特点

1、这个“纳米内存”在几乎不需耗电的情况下，1平方厘米面积内可储存 1个图书馆的文字数据，将让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性。

2、这个“纳米内存”容量比现在的闪存增大20倍，但耗电量却降低了200倍，而且可再借立体堆栈设计，进一步提升容量。

纳米内存 - 批量生产

“纳米内存”这项新技术5到10年内量产，届时将可对全球新台币1兆元的传统闪存产生重大贡献，也希望这项技术能在2025年时有机会协助台湾于全球闪存的市场占有率提升至10%以上的产值。